×

掃碼關(guān)注微信公眾號

直擊北京車(chē)展 碳化硅上車(chē)蔚然成風(fēng) 芯聯(lián)集成碳化硅產(chǎn)品躋身國內頭部陣營(yíng)

2024/4/25 10:15:38      挖貝網(wǎng) 李輝

4月25日,以“新時(shí)代 新汽車(chē)”為主題的2024北京車(chē)展拉開(kāi)帷幕,“新能源汽車(chē)”成大亮點(diǎn)。來(lái)自北京車(chē)展主辦方的信息顯示,此次參展的新能源車(chē)型多達278個(gè),其中,800V高壓平臺上車(chē)成為今年車(chē)展的一大看點(diǎn),搭載800V架構的全新問(wèn)界M5、享界S9、蔚來(lái)樂(lè )道L60、極氪MIX、星途星紀元ET等車(chē)型紛紛亮相。

2023年以來(lái),眾多車(chē)企在新能源汽車(chē)的續航里程與補能速度上發(fā)力,800V車(chē)型由此接踵落地,這進(jìn)一步加速碳化硅規模上車(chē)。800V系統平臺搭載碳化硅,能有效緩解續航和補能焦慮,因此兩者被稱(chēng)為“絕配CP”。

1.png

圖注:芯聯(lián)集成6英寸碳化硅平面MOS芯片

主要用于新能源汽車(chē)主驅逆變器

作為稀缺的一站式芯片系統代工解決方案供應商,2023年,芯聯(lián)集成6英寸碳化硅晶圓廠(chǎng)出貨規模已超過(guò)月產(chǎn)5000片,且出貨量位列中國SiC MOS規模量產(chǎn)出貨前列。芯聯(lián)集成自去年開(kāi)始量產(chǎn)平面SiC MOS以來(lái),實(shí)現了90%的產(chǎn)品應用于新能源汽車(chē)主驅逆變器。

碳化硅上車(chē),帶來(lái)整車(chē)效率質(zhì)的飛躍

隨著(zhù)新能源汽車(chē)市場(chǎng)發(fā)展的高歌猛進(jìn),整車(chē)廠(chǎng)都希望提高車(chē)輛的表現力,包括更快的充電時(shí)間、更持久的續航里程,以及優(yōu)質(zhì)的駕乘體驗等等,以獲得更多市場(chǎng)競爭力,而碳化硅的存在就尤為重要。

碳化硅應用于新能源汽車(chē)內部的關(guān)鍵電力系統,包括主驅逆變器、車(chē)載充電器(OBC)和DC-DC轉換器。與傳統硅基器件相比,作為第三代半導體技術(shù),碳化硅因其耐高壓、高開(kāi)關(guān)頻率、耐高溫和低導通損耗等特點(diǎn),可實(shí)現更高的系統效率、更低的損耗和空間小型化,因此在電能轉換中得到大規模應用。

芯聯(lián)集成具備碳化硅產(chǎn)品全棧能力,性能比肩國際先進(jìn)水平

當下,在碳化硅芯片集中上量的主驅逆變器應用領(lǐng)域,芯聯(lián)集成已把握先機,成功躋身于國內頭部陣營(yíng)。

技術(shù)不斷創(chuàng )新,產(chǎn)品快速迭代是芯聯(lián)集成在短時(shí)間內取得市場(chǎng)突破的大驅動(dòng)力。從啟動(dòng)碳化硅產(chǎn)線(xiàn)預研,到大批量出貨,芯聯(lián)集成用了三年時(shí)間,迭代了三代SiC MOS產(chǎn)品,新第三代1200V SiC MOS 已于2023年底在汽車(chē)主驅?xiě)昧慨a(chǎn),具備國際領(lǐng)先的芯片能力。

特別值得一提的是,在備受碳化硅需求應用端關(guān)注而又為之苦惱的良率方面,芯聯(lián)集成第三代1200V SiC MOS達到業(yè)界領(lǐng)先的水平。

同時(shí),在影響碳化硅器件性能、故障率和壽命的溫度方面,芯聯(lián)集成第三代1200V SiC MOS支持200℃的工作結溫,而且具有更好的高溫性能:

● 25℃Rdson @13mohm

● 150℃Rdson@19.2mohm

● 175℃Rdson@21.5mohm

除了這些優(yōu)勢,芯聯(lián)集成第三代1200V SiC MOS還支持門(mén)極負壓關(guān)斷(推薦門(mén)極工作電壓-5V/18V),且已通過(guò)AQG-324可靠性驗證標準,以及加嚴的DGS、DRB (動(dòng)態(tài)HTGB、動(dòng)態(tài)HTRB)可靠性驗證。

及時(shí)響應整車(chē)廠(chǎng)對于碳化硅的應用需求,芯聯(lián)集成不僅能提供碳化硅芯片代工,同時(shí)具備了從設計、制造到封裝、測試的全棧能力,公司可提供包含設計服務(wù)、晶圓制造、模組封裝、應用驗證、可靠性測試的一站式芯片及系統代工解決方案,能靈活滿(mǎn)足不同整車(chē)廠(chǎng)的需求。

芯聯(lián)集成生產(chǎn)的車(chē)載SiC模塊,采用高性能的平面柵形SiC MOSFET芯片的灌封和塑封封裝技術(shù),產(chǎn)品覆蓋750V-1200V全系列,可以分別滿(mǎn)足400V和800V車(chē)載系統的需求,產(chǎn)品規格如下圖,性能比肩國際碳化硅廠(chǎng)商水平。

2.png

圖注:芯聯(lián)集成碳化硅模塊系列產(chǎn)品

3.png

圖注:芯聯(lián)集成單面散熱塑封全橋SiC模塊,主要用于新能源汽車(chē)主驅逆變器等

長(cháng)板優(yōu)勢已顯,未來(lái)更為可期。據悉,芯聯(lián)集成的國內首條8英寸晶圓研發(fā)線(xiàn)將于2024年底通線(xiàn),屆時(shí)8英寸晶圓帶來(lái)的成本與產(chǎn)能優(yōu)勢,將更好地滿(mǎn)足車(chē)企對“增效降本”的追求。